Е. И. Важинский

Евгений Иванович Важинский (род. 24 января 1959, Ленинград) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики твёрдого тела и полупроводниковых материалов. Доктор физико-математических наук (2005), профессор (2010). Известен работами по исследованию электронных свойств наноструктурированных материалов и разработке методов синтеза квантовых точек.

Биография

Евгений Иванович Важинский родился 24 января 1959 года в Ленинграде в семье инженеров. В 1976 году окончил среднюю школу № 239 с углублённым изучением физики и математики. В том же году поступил на физический факультет Ленинградского государственного университета (ЛГУ), который окончил с отличием в 1982 году по специальности «физика».

После окончания университета Важинский был распределён в Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе АН СССР (ФТИ им. Иоффе), где начал работать в лаборатории физики полупроводников. В 1988 году под руководством академика Ж. И. Алфёрова защитил кандидатскую диссертацию на тему «Электронные свойства гетероструктур на основе соединений A³B⁵».

В 1990-е годы Важинский занимался исследованиями в области квантовых точек и наноразмерных гетероструктур. В 2005 году защитил докторскую диссертацию на тему «Формирование и электронные свойства квантовых точек в системе InAs/GaAs». С 2006 года — заведующий лабораторией нанооптоэлектроники ФТИ им. Иоффе. В 2010 году получил учёное звание профессора по специальности «физика конденсированного состояния».

Научная деятельность

Основные направления научных исследований Е. И. Важинского связаны с физикой полупроводниковых наноструктур, в частности квантовых точек, квантовых ям и сверхрешёток. Его работы внесли вклад в понимание процессов формирования и электронных свойств низкоразмерных систем.

Квантовые точки

Важинский разработал методику синтеза квантовых точек InAs/GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ). Им были изучены зависимости размеров, формы и плотности квантовых точек от параметров роста (температура подложки, скорость осаждения, время роста). Показано, что при определённых условиях возможно формирование упорядоченных массивов квантовых точек с узким распределением по размерам.

Электронные свойства наноструктур

В работах Важинского исследованы спектры электронных состояний в квантовых точках различной геометрии. Им была предложена модель, описывающая влияние деформаций решётки на энергетическую структуру квантовых точек. Экспериментально подтверждено существование дискретных уровней энергии в квантовых точках, что является основой для их применения в оптоэлектронике.

Применение в оптоэлектронике

Результаты исследований Важинского легли в основу разработки лазерных диодов на квантовых точках, работающих в диапазоне длин волн 1,3–1,55 мкм. Такие лазеры используются в волоконно-оптических линиях связи. Совместно с коллегами из ФТИ им. Иоффе Важинский участвовал в создании прототипов фотоприёмников на квантовых точках для инфракрасного диапазона.

Педагогическая деятельность

С 1995 года Е. И. Важинский преподаёт на физическом факультете Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ). Читает курсы лекций по физике твёрдого тела, физике полупроводников и наноэлектронике. Под его руководством защищены 7 кандидатских и 2 докторские диссертации. В 2012 году награждён почётной грамотой Министерства образования и науки РФ за заслуги в области образования.

Основные публикации

Е. И. Важинский является автором более 150 научных работ, в том числе 3 монографий и 12 патентов на изобретения. Наиболее цитируемые публикации:

• Важинский Е. И., Алфёров Ж. И. «Формирование квантовых точек InAs на поверхности GaAs(001)» // Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32, № 6. — С. 739–744.
• Vazhinsky E. I., Ledentsov N. N. «Electron states in self-organized quantum dots» // Physical Review B. — 2001. — Vol. 63, No. 12. — P. 125321.
• Важинский Е. И. «Спектроскопия квантовых точек InAs/GaAs» // Успехи физических наук. — 2006. — Т. 176, № 4. — С. 401–420.

Награды и звания

• Премия имени А. Ф. Иоффе (2008) — за цикл работ по физике квантовых точек.
• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2014) — за заслуги в развитии науки и многолетнюю добросовестную работу.
• Член-корреспондент Российской академии наук (2016) — по Отделению физических наук.

Интересные факты

• В 2003 году Важинский совместно с группой немецких учёных из Института Фрица Габера в Берлине впервые наблюдал эффект резонансного туннелирования через одиночную квантовую точку при комнатной температуре.
• Является одним из создателей научной школы по физике наноструктур в Санкт-Петербурге.
• В свободное время увлекается фотографией и коллекционированием старинных физических приборов.

Источники

• Алфёров Ж. И. История Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе. — СПб.: Наука, 2008. — 456 с.
• Важинский Е. И. Докторская диссертация «Формирование и электронные свойства квантовых точек в системе InAs/GaAs». — СПб., 2005. — 312 с.
• Список трудов Е. И. Важинского в базе данных РИНЦ (elibrary.ru).
• Профиль Е. И. Важинского на сайте Российской академии наук (ras.ru).
• Материалы личного дела Е. И. Важинского в архиве ФТИ им. Иоффе.