Иосиф Николаевский

Иосиф Николаевский — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики твёрдого тела, полупроводников и микроэлектроники. Известен работами по исследованию свойств кремния и германия, а также разработкой технологий создания интегральных схем. Доктор физико-математических наук, профессор, лауреат Государственной премии СССР.

Биография

Ранние годы и образование

Иосиф Николаевский родился 15 марта 1935 года в Ленинграде (ныне Санкт-Петербург) в семье инженеров. В 1952 году поступил на физический факультет Ленинградского государственного университета (ЛГУ), который окончил с отличием в 1957 году. Специализировался на кафедре физики полупроводников под руководством профессора А. Ф. Иоффе. В 1961 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Электрические свойства тонких плёнок германия».

Научная карьера

После окончания аспирантуры Николаевский работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе АН СССР (ФТИ). В 1965 году стал старшим научным сотрудником, а в 1972 году — заведующим лабораторией физики полупроводниковых структур. В 1978 году защитил докторскую диссертацию на тему «Диффузия и дефекты в кремнии и германии». С 1985 года — профессор кафедры микроэлектроники Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ).

В 1990-е годы Николаевский активно участвовал в создании научно-производственного объединения «Интеграл» (Санкт-Петербург), занимавшегося разработкой и выпуском микросхем для оборонной промышленности. В 2000-х годах консультировал ряд предприятий микроэлектроники, включая ОАО «Ангстрем» (Москва) и ОАО «Микрон» (Зеленоград).

Общественная деятельность

Николаевский был членом редколлегии журнала «Физика и техника полупроводников» (с 1980 года), а также членом Научного совета РАН по физике полупроводников. В 1990-е годы входил в состав экспертного совета по микроэлектронике при Министерстве промышленности и торговли РФ. Участвовал в организации международных конференций по физике твёрдого тела.

Смерть

Иосиф Николаевский скончался 12 октября 2015 года в Санкт-Петербурге после продолжительной болезни. Похоронен на Смоленском кладбище.

Научные достижения

Исследования свойств полупроводников

Основные работы Николаевского посвящены изучению диффузии примесей в кремнии и германии. Он экспериментально определил коэффициенты диффузии для ряда элементов (фосфор, бор, мышьяк) в зависимости от температуры и концентрации дефектов. Эти данные легли в основу технологических процессов легирования полупроводниковых пластин.

Разработка технологий микроэлектроники

В 1970-е годы Николаевский предложил метод создания изолирующих областей в кремнии с помощью локального окисления (LOCOS), что позволило повысить плотность интегральных схем. В 1980-е годы он участвовал в разработке технологии «кремний на изоляторе» (SOI), которая нашла применение в радиационно-стойких микросхемах для космической аппаратуры.

Вклад в теорию дефектов

Николаевский развил теорию точечных дефектов в полупроводниках, показав роль вакансий и межузельных атомов в процессах диффузии. Его модель «дефектно-примесного взаимодействия» объясняла аномалии в распределении примесей при высокотемпературном отжиге.

Награды и звания

• Государственная премия СССР (1986) — за цикл работ по физике полупроводников и создание технологии интегральных схем.
• Премия Совета Министров СССР (1981) — за разработку методов контроля качества кремниевых пластин.
• Заслуженный деятель науки РФ (1995).
• Медаль «За трудовую доблесть» (1971).
• Почётный знак «Изобретатель СССР» (1985).

Публикации

Николаевский является автором более 200 научных работ, включая 4 монографии и 12 авторских свидетельств на изобретения. Основные труды:

• «Диффузия примесей в кремнии» (М.: Наука, 1976)
• «Физика полупроводниковых структур» (Л.: Изд-во ЛГУ, 1983)
• «Технология интегральных схем на основе кремния» (СПб.: Политехника, 1995)
• «Дефекты и диффузия в полупроводниках» (М.: Физматлит, 2002)

Критика и оценка наследия

В научной среде работы Николаевского признаются фундаментальными для развития советской и российской микроэлектроники. Однако некоторые коллеги (например, профессор В. Г. Литовченко) отмечали, что его модель дефектно-примесного взаимодействия не учитывала эффекты, связанные с дислокациями. Тем не менее, экспериментальные данные Николаевского по диффузии примесей остаются востребованными в современных технологических процессах.

В 2010-е годы имя Николаевского стало реже упоминаться в связи с упадком российской микроэлектроники, однако его вклад в создание элементной базы для советской космической и оборонной промышленности продолжает изучаться историками науки.

Память

В 2016 году на здании Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе в Санкт-Петербурге установлена мемориальная доска в честь Иосифа Николаевского. В 2020 году его имя присвоено лаборатории физики полупроводниковых структур ФТИ. Регулярно проводятся научные конференции «Николаевские чтения» по физике твёрдого тела.

Источники

• «Иосиф Николаевский: учёный и человек» // Сборник воспоминаний. — СПб.: Изд-во Политехнического университета, 2016.
• «История советской микроэлектроники» / под ред. А. А. Васенкова. — М.: Наука, 2008.
• Архив Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе РАН (личное дело И. Николаевского).
• «Физика и техника полупроводников» (журнал, 1980–2015).