Открыть сервис

Иван Петрович Герасимов

Иван Петрович Герасимов — русский учёный-физик, специалист в области физики твёрдого тела и полупроводников, доктор физико-математических наук, профессор. Известен работами по исследованию электропроводности и оптических свойств тонких плёнок, а также разработкой методов синтеза новых полупроводниковых материалов. Внёс вклад в развитие отечественной микроэлектроники и материаловедения.

Биография

Иван Петрович Герасимов родился 15 марта 1948 года в городе Горький (ныне Нижний Новгород) в семье служащих. В 1966 году окончил среднюю школу № 7 с золотой медалью и поступил на физический факультет Горьковского государственного университета имени Н. И. Лобачевского.

В 1971 году с отличием окончил университет по специальности «физика твёрдого тела». После окончания был распределён в Научно-исследовательский физико-технический институт (НИФТИ) при Горьковском университете, где прошёл путь от младшего научного сотрудника до заведующего лабораторией физики полупроводниковых структур.

В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Электропроводность тонких плёнок оксида цинка в сильных электрических полях». В 1985 году — докторскую диссертацию «Оптические и электрические свойства гетероструктур на основе широкозонных полупроводников». В 1987 году получил учёное звание профессора по кафедре физики твёрдого тела.

С 1990 по 2010 год заведовал кафедрой физики полупроводников и микроэлектроники в Нижегородском государственном университете. Под его руководством защищено 15 кандидатских и 3 докторские диссертации. В 1995 году избран членом-корреспондентом Российской академии естественных наук.

Иван Петрович Герасимов скончался 22 декабря 2018 года в Нижнем Новгороде после продолжительной болезни.

Научная деятельность

Основные научные труды Герасимова относятся к физике тонких плёнок, гетероструктур и полупроводниковых материалов. Он внёс вклад в понимание механизмов переноса заряда в неупорядоченных полупроводниках и разработал методы управления электропроводностью тонких плёнок за счёт легирования и термической обработки.

Исследование электропроводности

В 1970-х годах Герасимов экспериментально изучил зависимость проводимости тонких плёнок оксида цинка от напряжённости электрического поля. Он выявил эффект переключения проводимости (S-образная вольт-амперная характеристика) при определённых концентрациях донорных примесей. Эти результаты легли в основу его кандидатской диссертации и были использованы при создании варисторов.

Оптические свойства гетероструктур

В 1980-х годах Герасимов исследовал оптические свойства гетероструктур на основе оксида цинка и сульфида кадмия. Он обнаружил эффект усиления фотолюминесценции в многослойных структурах с квантовыми ямами. Разработанные им методы позволили повысить эффективность светоизлучающих диодов на основе широкозонных полупроводников.

Разработка материалов

В 1990-х годах под руководством Герасимова были синтезированы новые полупроводниковые материалы — твёрдые растворы на основе оксида цинка, легированные магнием и алюминием. Эти материалы обладали повышенной термостабильностью и прозрачностью в видимом диапазоне, что сделало их перспективными для использования в прозрачных электродах и оптоэлектронных устройствах.

Педагогическая деятельность

Герасимов читал курсы лекций по физике твёрдого тела, физике полупроводников, квантовой теории твёрдого тела и микроэлектронике. Он разработал учебные пособия по физике тонких плёнок и методам синтеза полупроводниковых структур. Под его руководством студенты и аспиранты выполняли экспериментальные работы на базе лаборатории физики полупроводниковых структур НИФТИ.

Основные труды

Иван Петрович Герасимов является автором более 120 научных статей, 3 монографий и 5 авторских свидетельств на изобретения. Среди наиболее значимых публикаций:

  • Герасимов И. П. Электропроводность тонких плёнок оксида цинка в сильных электрических полях // Физика твёрдого тела. — 1976. — Т. 18, № 4. — С. 1023–1028.
  • Герасимов И. П., Петров А. В. Оптические свойства гетероструктур ZnO/CdS // Журнал технической физики. — 1988. — Т. 58, № 7. — С. 1345–1350.
  • Герасимов И. П. Физика тонких плёнок полупроводников: монография. — Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, 1995. — 240 с.
  • Герасимов И. П. Синтез и свойства твёрдых растворов ZnO:Mg,Al // Неорганические материалы. — 2002. — Т. 38, № 9. — С. 1102–1107.

Награды и звания

Память

В 2019 году на здании физического факультета Нижегородского государственного университета была установлена мемориальная доска в честь Ивана Петровича Герасимова. Ежегодно на кафедре физики полупроводников и микроэлектроники проводятся Герасимовские чтения, посвящённые актуальным проблемам физики твёрдого тела.

Примечания

Источники

  • Нижегородский государственный университет имени Н. И. Лобачевского: история и современность. — Нижний Новгород: Изд-во ННГУ, 2016. — С. 245–248.
  • Кто есть кто в Нижегородской области: биографический справочник. — Нижний Новгород, 2005. — С. 112–113.
  • Учёные России: энциклопедия. — М.: Академия Естествознания, 2008. — Т. 4. — С. 234–235.
  • Герасимов И. П. Автобиография (рукопись). — Архив кафедры физики полупроводников и микроэлектроники ННГУ, 2010.

BFOmetr — база данных и аналитика по компаниям России.

На главную BFOmetr →