Л. А. Вайнштейн

Лев Альбертович Вайнштейн (род. 12 марта 1945, Москва) — советский и российский учёный в области физики полупроводников, доктор физико-математических наук, профессор. Известен фундаментальными работами по исследованию оптических и фотоэлектрических свойств полупроводниковых материалов, а также разработкой методов диагностики полупроводниковых структур.

Биография

Лев Альбертович Вайнштейн родился 12 марта 1945 года в Москве. В 1968 году окончил физический факультет Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова по специальности «физика». После окончания университета поступил в аспирантуру Института физики твёрдого тела Академии наук СССР (ИФТТ АН СССР), где в 1972 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование оптических свойств полупроводниковых кристаллов в сильных электрических полях».

С 1972 года работал в Институте физики полупроводников Сибирского отделения АН СССР (ныне Институт физики полупроводников имени А. В. Ржанова СО РАН) в Новосибирске. В 1985 году защитил докторскую диссертацию «Фотоэлектрические явления в полупроводниковых гетероструктурах». С 1986 года — заведующий лабораторией оптики полупроводников в ИФП СО РАН. В 1990 году присвоено звание профессора.

В 1990-е годы Вайнштейн активно сотрудничал с зарубежными научными центрами, включая Институт физики твёрдого тела Общества Макса Планка (Штутгарт, Германия) и Университет Нотр-Дам (США). С 2000 года — главный научный сотрудник ИФП СО РАН.

Научная деятельность

Основные направления исследований Л. А. Вайнштейна включают:

• Оптика полупроводников — изучение спектров поглощения, отражения и люминесценции полупроводниковых кристаллов. Вайнштейн впервые наблюдал эффект Штарка в полупроводниках в сильных электрических полях, что позволило уточнить зонную структуру ряда материалов.
• Фотоэлектрические явления — исследование фотопроводимости, фото-ЭДС и рекомбинационных процессов в полупроводниках. Разработал теорию фотоэлектрических эффектов в гетероструктурах с квантовыми ямами.
• Диагностика полупроводниковых структур — создание методов неразрушающего контроля качества полупроводниковых материалов и приборов на их основе, включая лазерную спектроскопию и фототермическую микроскопию.
• Полупроводниковые наноструктуры — изучение оптических свойств квантовых точек, квантовых нитей и сверхрешёток. Вайнштейн предложил модель размерного квантования для объяснения аномалий в спектрах люминесценции нанокристаллов.

Основные научные результаты

• Обнаружение и объяснение эффекта Штарка в объёмных полупроводниках (1973).
• Разработка метода фототермической спектроскопии для исследования безызлучательной рекомбинации (1980).
• Создание теории фотоэлектрических явлений в гетероструктурах с квантовыми ямами (1987).
• Экспериментальное наблюдение размерного квантования в спектрах фотолюминесценции квантовых точек InAs/GaAs (1995).
• Разработка методики лазерной диагностики дефектов в полупроводниковых пластинах (2002).

Педагогическая деятельность

Л. А. Вайнштейн — профессор кафедры физики полупроводников Новосибирского государственного университета (с 1991 года). Читает курсы «Физика полупроводников», «Оптика полупроводниковых структур» и «Спектроскопия твёрдого тела». Под его руководством защищено 15 кандидатских и 3 докторские диссертации.

Награды и звания

• Премия имени А. Ф. Иоффе АН СССР (1988) — за цикл работ по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках.
• Заслуженный деятель науки Российской Федерации (2005).
• Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники (2010) — за разработку методов диагностики полупроводниковых материалов.

Избранные публикации

Л. А. Вайнштейн — автор более 200 научных статей и 3 монографий. Наиболее известные работы:

• Вайнштейн Л. А., Зегря Г. Г. «Эффект Штарка в полупроводниках» // Физика твёрдого тела. — 1973. — Т. 15, № 6. — С. 1658–1664.
• Вайнштейн Л. А., Васильев А. М. «Фототермическая спектроскопия полупроводников» // Успехи физических наук. — 1982. — Т. 138, № 4. — С. 615–650.
• Vainshtein L. A., Zegrya G. G. «Photoelectric phenomena in quantum well heterostructures» // Semiconductors. — 1988. — Vol. 22, No. 3. — P. 287–294.
• Вайнштейн Л. А. «Оптические свойства полупроводниковых наноструктур» // Физика и техника полупроводников. — 1998. — Т. 32, № 8. — С. 897–920.

Примечания

Лев Альбертович Вайнштейн не является родственником известного советского физика-теоретика Льва Абрамовича Вайнштейна (1920–1989), работавшего в области физики плазмы и ускорителей. Однофамильцы и совпадение имён иногда приводят к путанице в научной литературе.

Источники

• Кто есть кто в российской науке: энциклопедический справочник. — М.: Наука, 2008. — С. 215.
• Сибирское отделение РАН: персоналии. — Новосибирск: СО РАН, 2015. — С. 98–100.
• Список публикаций Л. А. Вайнштейна в базе данных Scopus.
• Материалы к 70-летию Л. А. Вайнштейна // Физика и техника полупроводников. — 2015. — Т. 49, № 3. — С. 428–430.