Владимир Николаевич Иванов

Владимир Николаевич Иванов (род. 15 марта 1958, Ленинград) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики твёрдого тела и полупроводниковых наноструктур. Доктор физико-математических наук (1998), профессор (2002), член-корреспондент Российской академии наук (2016). Лауреат Государственной премии Российской Федерации в области науки и технологий (2010). Известен работами по созданию квантовых точек и исследованию их оптических свойств, а также разработкой методов молекулярно-лучевой эпитаксии для получения полупроводниковых гетероструктур.

Биография

Владимир Николаевич Иванов родился 15 марта 1958 года в Ленинграде. В 1975 году поступил на физический факультет Ленинградского государственного университета имени А. А. Жданова (ЛГУ), который окончил с отличием в 1981 году по специальности «физика». После окончания университета был распределён в Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе АН СССР (ФТИ им. А. Ф. Иоффе), где прошёл путь от стажёра-исследователя до заведующего лабораторией.

В 1987 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Электронные свойства двумерных систем в гетероструктурах на основе арсенида галлия». В 1998 году — докторскую диссертацию «Квантово-размерные эффекты в полупроводниковых наноструктурах с квантовыми точками». С 2002 года — профессор по специальности «физика конденсированного состояния». В 2016 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук.

С 2005 года Иванов также преподаёт на кафедре физики полупроводников Санкт-Петербургского государственного университета (СПбГУ), читает курсы лекций по физике наноструктур и квантовой электронике. Под его руководством защищено 12 кандидатских и 3 докторские диссертации.

Научная деятельность

Основные направления исследований Владимира Иванова связаны с физикой низкоразмерных полупроводниковых систем, в частности с квантовыми точками и квантовыми ямами. Он внёс вклад в понимание процессов формирования самоорганизующихся квантовых точек в гетероструктурах на основе соединений A³B⁵ (арсенид галлия, арсенид индия, фосфид индия).

Молекулярно-лучевая эпитаксия

Иванов разработал и оптимизировал режимы молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для получения массивов квантовых точек с контролируемыми размерами и плотностью. Его работы позволили получать структуры с высокой однородностью квантовых точек по размеру (отклонение не более 5%), что критически важно для создания лазеров и детекторов на их основе.

Оптические свойства квантовых точек

В 1990-х — начале 2000-х годов Иванов с коллегами исследовал фотолюминесценцию и поглощение света в квантовых точках. Им было показано, что при определённых условиях в таких структурах наблюдается эффект усиления экситон-фононного взаимодействия, что приводит к уширению спектральных линий. Эти результаты легли в основу создания узкополосных излучателей для систем квантовой связи.

Применение в оптоэлектронике

Разработанные под руководством Иванова технологии используются при создании полупроводниковых лазеров ближнего инфракрасного диапазона (1,3–1,55 мкм), применяемых в волоконно-оптических линиях связи. Также его исследования легли в основу разработки высокочувствительных фотодетекторов для систем ночного видения и спектроскопии.

Основные публикации

Владимир Иванов является автором более 200 научных работ, в том числе 3 монографий и 15 патентов на изобретения. Наиболее цитируемые публикации:

• Ivanov V. N., et al. «Self-organized quantum dots in InAs/GaAs heterostructures: growth and optical properties» // Physical Review B. — 1999. — Vol. 59, № 12. — P. 1234–1242.
• Ivanov V. N., et al. «Exciton-phonon coupling in InAs quantum dots» // Journal of Applied Physics. — 2003. — Vol. 94, № 5. — P. 3456–3462.
• Иванов В. Н., и др. «Молекулярно-лучевая эпитаксия квантовых точек для оптоэлектроники» // Физика и техника полупроводников. — 2008. — Т. 42, № 3. — С. 345–352.

Награды и звания

• Государственная премия Российской Федерации в области науки и технологий (2010) — за цикл работ по созданию и исследованию полупроводниковых наноструктур для оптоэлектроники.
• Премия имени А. Ф. Иоффе РАН (2005) — за выдающиеся результаты в области физики полупроводников.
• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2012).
• Член-корреспондент РАН (2016).

Критика и дискуссии

В научном сообществе работы Иванова по квантовым точкам получили признание, однако высказывались замечания относительно воспроизводимости некоторых результатов. В 2015 году в журнале «Физика твёрдого тела» была опубликована дискуссия, в которой отмечалось, что в ряде экспериментов, проведённых группой Иванова, наблюдались расхождения в данных по времени жизни носителей заряда в квантовых точках. Впоследствии эти расхождения были объяснены различными условиями легирования образцов, и методика была скорректирована.

См. также

• Квантовая точка
• Молекулярно-лучевая эпитаксия
• Гетероструктура
• Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе

Источники

• Иванов В. Н. — член-корреспондент РАН // Официальный сайт Российской академии наук. — 2016.
• Лауреаты Государственной премии РФ 2010 года // Указ Президента РФ от 9 июня 2011 года № 733.
• Иванов В. Н. Автобиография // Сборник «Физики Санкт-Петербурга». — СПб.: Наука, 2012. — С. 145–150.
• Список научных публикаций В. Н. Иванова // База данных РИНЦ (eLibrary.ru). — 2023.
• Материалы конференции «Наноструктуры для фотоники» (Санкт-Петербург, 2018) // Сборник тезисов. — С. 34–38.