Открыть сервис

Юрий Андреевич Осипьян

Юрий Андреевич Осипьян (15 февраля 1931, Москва — 11 сентября 2008, там же) — советский и российский физик, специалист в области физики твёрдого тела, физического материаловедения и физики прочности. Академик Академии наук СССР (с 1981 года, член-корреспондент с 1972 года) и Российской академии наук (РАН). Герой Социалистического Труда (1981). Лауреат Ленинской (1984) и Государственной (1975) премий СССР. Вице-президент АН СССР (1988—1991) и РАН (1991—2001). Основатель и первый директор Института физики твёрдого тела РАН (ИФТТ РАН, 1963—2002).

Биография

Ранние годы и образование

Юрий Осипьян родился в Москве в семье служащих. В 1948 году окончил среднюю школу с золотой медалью. В том же году поступил на физико-технический факультет Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова (МГУ), который в 1951 году был преобразован в Московский физико-технический институт (МФТИ). В 1954 году окончил МФТИ по специальности «физика твёрдого тела».

Научная карьера

После окончания института Осипьян работал в Институте кристаллографии АН СССР имени А. В. Шубникова, где в 1958 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование пластической деформации ионных кристаллов методом электронного парамагнитного резонанса». В 1965 году защитил докторскую диссертацию, посвящённую исследованию дислокаций в кристаллах.

В 1963 году по инициативе президента АН СССР М. В. Келдыша и при поддержке академика П. Л. Капицы в Черноголовке (Московская область) был создан Институт физики твёрдого тела (ИФТТ). Ю. А. Осипьян стал его первым директором и руководил институтом почти 40 лет, до 2002 года. Под его руководством ИФТТ превратился в один из ведущих научных центров СССР и России в области физики конденсированного состояния.

Административная и общественная деятельность

С 1988 по 1991 год занимал пост вице-президента АН СССР, а после её преобразования в РАН — вице-президента РАН (до 2001 года). Входил в состав Президиума РАН. Был членом ряда зарубежных академий, в том числе Европейской академии наук и искусств, Академии наук ГДР, Национальной академии наук Украины.

Являлся депутатом Верховного Совета СССР (1989—1991) и членом ЦК КПСС (1990—1991). В 1990-е годы активно участвовал в реформировании российской науки, выступал за сохранение фундаментальных исследований.

Научные достижения

Основные труды Ю. А. Осипьяна относятся к физике твёрдого тела, физике прочности и пластичности, физическому материаловедению. Он внёс фундаментальный вклад в изучение дислокаций (дефектов кристаллической решётки) и их влияния на механические, электрические и оптические свойства кристаллов.

Исследование дислокаций

Осипьян разработал и применил метод электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) для изучения дислокаций в ионных кристаллах. Впервые в мире он экспериментально обнаружил парамагнитный резонанс от дислокаций, что позволило изучать их электронную структуру и взаимодействие с точечными дефектами. Эти работы заложили основы нового направления — дислокационной спектроскопии.

Эффект Осипьяна

В 1970-х годах совместно с сотрудниками открыл эффект фотопластичности — изменение пластичности кристаллов под действием света. Этот эффект, названный впоследствии «эффектом Осипьяна», заключается в том, что при освещении полупроводниковых или ионных кристаллов в них возникает дополнительное механическое напряжение, которое может ускорять или замедлять движение дислокаций. Открытие имело важное значение для понимания механизмов деформации и разрушения материалов, а также для разработки методов управления прочностью.

Физика прочности и разрушения

Осипьян развил представления о роли дислокаций в процессах зарождения и распространения трещин. Он показал, что дислокации могут выступать как концентраторы напряжений, инициирующие разрушение. Его работы легли в основу современной физической теории прочности твёрдых тел.

Высокотемпературная сверхпроводимость

В конце 1980-х — начале 1990-х годов Осипьян активно занимался исследованием высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Под его руководством в ИФТТ были получены первые в СССР образцы ВТСП-керамик и изучены их свойства. Он предложил оригинальные модели, объясняющие механизм высокотемпературной сверхпроводимости.

Другие направления

Осипьян внёс вклад в физику полупроводников, в частности, в изучение влияния дислокаций на электрические свойства кремния и германия. Он также занимался проблемами роста кристаллов, получения новых материалов с заданными свойствами.

Научно-организационная деятельность

Ю. А. Осипьян был одним из создателей и организаторов Научного центра РАН в Черноголовке. Он инициировал строительство жилья, инфраструктуры и научных корпусов, что позволило создать полноценный наукоград. Под его руководством ИФТТ стал базой для проведения всесоюзных и международных конференций, школ молодых учёных.

Он был главным редактором журнала «Физика твёрдого тела» (1988—2008) и членом редколлегий ряда других научных изданий. Воспитал плеяду учеников, среди которых более 20 докторов и 50 кандидатов наук.

Награды и звания

Память

  • Имя Ю. А. Осипьяна присвоено Институту физики твёрдого тела РАН (ИФТТ РАН имени Ю. А. Осипьяна).
  • В Черноголовке на здании ИФТТ установлена мемориальная доска.
  • Учреждена премия имени Ю. А. Осипьяна для молодых учёных РАН за достижения в области физики твёрдого тела.
  • В 2011 году в Черноголовке прошла международная конференция «Физика твёрдого тела: от теории к практике», посвящённая 80-летию со дня рождения учёного.

Источники

  • Юрий Андреевич Осипьян (к 70-летию со дня рождения) // Успехи физических наук. — 2001. — Т. 171, № 2. — С. 225—226.
  • Юрий Андреевич Осипьян (некролог) // Вестник РАН. — 2008. — Т. 78, № 12. — С. 1139—1140.
  • Академик Ю. А. Осипьян: Жизнь в науке. — М.: Наука, 2001. — 320 с.
  • Осипьян Юрий Андреевич // Большая российская энциклопедия. — М., 2014. — Т. 24. — С. 543.
  • Материалы сайта Института физики твёрдого тела РАН имени Ю. А. Осипьяна (ИФТТ РАН).

BFOmetr — база данных и аналитика по компаниям России.

На главную BFOmetr →