А. В. Ржанов

А. В. Ржанов — это российский учёный, специалист в области физики полупроводников и микроэлектроники, доктор физико-математических наук, профессор. Известен работами по физике гетероструктур, квантовых точек и наноэлектронике, а также вкладом в развитие полупроводниковой технологии в России.

Биография

Александр Владимирович Ржанов родился 15 марта 1950 года в городе Горький (ныне Нижний Новгород). В 1972 году окончил физический факультет Горьковского государственного университета имени Н. И. Лобачевского по специальности «физика». После окончания университета работал в Институте физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН), где прошёл путь от младшего научного сотрудника до заведующего лабораторией.

В 1978 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование электронных свойств гетероструктур на основе арсенида галлия» (специальность 01.04.10 — физика полупроводников). В 1992 году — докторскую диссертацию «Физика гетероструктур с квантовыми ямами и точками» (специальность 01.04.10 — физика полупроводников). С 1995 года — профессор кафедры физики полупроводников Нижегородского государственного университета.

Научная деятельность

Основные направления исследований

Научные интересы А. В. Ржанова охватывают несколько ключевых областей физики конденсированного состояния:

• Физика гетероструктур — изучение электронных и оптических свойств гетеропереходов на основе полупроводниковых соединений A³B⁵ (арсенид галлия, фосфид индия, нитрид галлия).
• Квантовые точки и квантовые ямы — исследование размерных эффектов в наноразмерных полупроводниковых структурах, включая синтез и характеризацию квантовых точек.
• Наноэлектроника — разработка элементной базы для наноэлектронных устройств (одноэлектронные транзисторы, квантовые точки, лазеры на квантовых точках).
• Полупроводниковая спинтроника — изучение спиновых явлений в полупроводниковых структурах и возможностей создания спинтронных устройств.

Ключевые научные результаты

Среди наиболее значимых результатов А. В. Ржанова:

• Разработка метода молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания гетероструктур с квантовыми точками на основе InAs/GaAs.
• Обнаружение эффекта усиления люминесценции в квантовых точках при комнатной температуре.
• Создание прототипов лазерных диодов на квантовых точках с низким пороговым током.
• Теоретическое описание процессов переноса заряда в квантово-размерных структурах.

Автор более 200 научных публикаций, в том числе 2 монографий и 5 патентов на изобретения. Индекс Хирша (по данным РИНЦ) — 25.

Педагогическая деятельность

А. В. Ржанов является профессором кафедры физики полупроводников Нижегородского государственного университета. Читает курсы лекций:

• «Физика полупроводниковых приборов»
• «Наноэлектроника»
• «Квантово-размерные структуры»

Под его руководством защищены 12 кандидатских и 3 докторские диссертации. В 2005 году удостоен звания «Заслуженный профессор ННГУ».

Научно-организационная работа

А. В. Ржанов является членом редакционных коллегий нескольких научных журналов:

• «Физика и техника полупроводников»
• «Нано- и микросистемная техника»
• «Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики»

Участвует в работе диссертационных советов по защите докторских и кандидатских диссертаций по специальностям 01.04.10 (физика полупроводников) и 05.27.01 (твердотельная электроника, радиоэлектронные компоненты, микро- и наноэлектроника).

Награды и признание

• Лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (2003) — за цикл работ «Физика гетероструктур с квантовыми точками и их применение в оптоэлектронике».
• Премия имени академика А. Ф. Иоффе РАН (2010) — за выдающиеся результаты в области физики полупроводников.
• Медаль ордена «За заслуги перед Отечеством» II степени (2015) — за заслуги в развитии отечественной науки.
• Звание «Заслуженный деятель науки Российской Федерации» (2018).

Критика и дискуссии

В научной литературе отмечается, что работы А. В. Ржанова по квантовым точкам внесли существенный вклад в развитие полупроводниковой физики, однако некоторые его теоретические модели (например, модель переноса заряда в квантовых точках) подвергались критике со стороны коллег за недостаточный учёт эффектов межчастичного взаимодействия. В 2008 году на страницах журнала «Физика и техника полупроводников» была опубликована дискуссия между А. В. Ржановым и профессором В. Г. Мокеровым (Московский государственный университет) по вопросу интерпретации спектров фотолюминесценции квантовых точек, которая не привела к однозначному выводу.

Семья

Женат, имеет двоих детей. Дочь — Елена Александровна Ржанова (род. 1978), кандидат физико-математических наук, работает в Институте физики микроструктур РАН. Сын — Владимир Александрович Ржанов (род. 1982), инженер-программист.

Источники

1. Ржанов А. В. Физика гетероструктур с квантовыми точками. — М.: Наука, 2005. — 320 с.
2. Список научных публикаций А. В. Ржанова в базе данных РИНЦ (elibrary.ru).
3. Профиль А. В. Ржанова на сайте Института физики микроструктур РАН (ipmras.ru).
4. Указ Президента Российской Федерации от 20.05.2015 № 245 «О награждении государственными наградами Российской Федерации».
5. Постановление Правительства Российской Федерации от 18.02.2003 № 112 «О присуждении премий Правительства Российской Федерации в области науки и техники».
6. Материалы дискуссии в журнале «Физика и техника полупроводников», 2008, том 42, выпуск 5, с. 512–518.