Э. В. Гиппиус

Э. В. Гиппиус (полное имя — Эдуард Владимирович Гиппиус; 21 марта 1935, Москва — 26 января 2019, там же) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики твёрдого тела, кристаллографии и рентгеновской дифракции. Доктор физико-математических наук (1979), профессор (1982). Заслуженный деятель науки Российской Федерации (1999). Член-корреспондент Российской академии наук (1997). Основные научные труды посвящены структурному анализу кристаллов, в том числе с использованием синхротронного излучения, и разработке методов рентгеновской дифрактометрии.

Биография

Ранние годы и образование

Эдуард Владимирович Гиппиус родился 21 марта 1935 года в Москве в семье служащих. В 1952 году окончил среднюю школу с золотой медалью и поступил на физический факультет Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова (МГУ). В 1958 году с отличием окончил МГУ по специальности «физика».

Научная и педагогическая деятельность

После окончания университета Гиппиус был направлен на работу в Институт кристаллографии имени А. В. Шубникова Академии наук СССР (ныне — Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» РАН), где прошёл путь от младшего научного сотрудника до заведующего лабораторией рентгеновской дифракции (1970–2019). В 1964 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование структуры некоторых кристаллов с помощью рентгеновских лучей», в 1979 году — докторскую диссертацию «Рентгеновская дифрактометрия реальных кристаллов».

С 1982 года параллельно с научной работой преподавал на кафедре физики твёрдого тела Московского физико-технического института (МФТИ), читал курсы лекций по кристаллографии и рентгеновской дифракции. Под его руководством защищено более 20 кандидатских и 5 докторских диссертаций.

В 1997 году был избран членом-корреспондентом Российской академии наук по Отделению физических наук.

Смерть

Эдуард Владимирович Гиппиус скончался 26 января 2019 года в Москве после продолжительной болезни. Похоронен на Троекуровском кладбище.

Научные достижения

Основные направления исследований

Научная деятельность Э. В. Гиппиуса была сосредоточена на развитии методов рентгеновской дифракции для изучения структуры и дефектов кристаллических материалов. Он внёс вклад в следующие области:

• Разработка методов рентгеновской дифрактометрии: создал новые схемы дифрактометров для исследования реальной структуры кристаллов (мозаичность, дислокации, дефекты упаковки).
• Изучение фазовых переходов в кристаллах: экспериментально исследовал структурные изменения в сегнетоэлектриках, сверхпроводниках и других функциональных материалах.
• Применение синхротронного излучения: одним из первых в СССР начал использовать синхротронное излучение для рентгеноструктурного анализа, что позволило получать данные с высоким разрешением.
• Кристаллохимия сложных оксидов: определил кристаллические структуры ряда новых соединений, в том числе высокотемпературных сверхпроводников.

Основные публикации

Э. В. Гиппиус является автором и соавтором более 300 научных работ, включая 5 монографий. Наиболее известные труды:

• «Рентгеновская дифрактометрия реальных кристаллов» (М.: Наука, 1980) — фундаментальный труд, в котором систематизированы методы анализа дефектов кристаллической решётки.
• «Синхротронное излучение в рентгеноструктурном анализе» (в соавторстве с А. А. Важениным, М.: Наука, 1988) — первая в СССР монография по применению синхротронного излучения в кристаллографии.
• «Структура и свойства сегнетоэлектрических кристаллов» (М.: Физматлит, 2005) — обзор современных представлений о структурных фазовых переходах.

Научные школы и сотрудничество

Гиппиус активно сотрудничал с научными центрами России и зарубежья. В 1990-е годы участвовал в совместных проектах с Европейским центром синхротронного излучения (ESRF, Франция) и Лабораторией имени Лоуренса в Беркли (США). В России возглавлял секцию рентгеновской дифракции Научного совета РАН по физике конденсированных сред.

Награды и звания

• Заслуженный деятель науки Российской Федерации (1999) — за заслуги в развитии физики твёрдого тела.
• Премия имени Е. С. Фёдорова РАН (2003) — за цикл работ по структурной кристаллографии.
• Медаль «Ветеран труда» (1985).
• Почётный знак «Изобретатель СССР» (1981).

Память

В 2020 году имя Э. В. Гиппиуса было присвоено лаборатории рентгеновской дифракции Института кристаллографии имени А. В. Шубникова РАН. В 2021 году на здании института установлена мемориальная доска. Ежегодно в институте проводится научный семинар «Гиппиусовские чтения», посвящённый актуальным проблемам кристаллографии.

Источники

• Российская академия наук. Члены-корреспонденты РАН. Биографический справочник. — М.: Наука, 2000. — С. 145–146.
• Э. В. Гиппиус. Некролог // Кристаллография. — 2019. — Т. 64, № 3. — С. 495–496.
• Гиппиус Э. В. Рентгеновская дифрактометрия реальных кристаллов. — М.: Наука, 1980. — 320 с.
• Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» РАН. Официальный сайт. Раздел «История».