Открыть сервис

MEMS-датчики

MEMS-датчики (микроэлектромеханические системы, англ. Micro-Electro-Mechanical Systems) — это класс миниатюрных устройств, объединяющих в себе механические компоненты (микрозеркала, балки, мембраны, вибрирующие элементы) и электронные схемы на одном кремниевом кристалле или подложке. Датчики на основе MEMS-технологии преобразуют физические величины (ускорение, угловую скорость, давление, магнитное поле) в электрический сигнал, отличаясь малыми размерами (от нескольких микрометров до миллиметров), низким энергопотреблением и возможностью массового производства методами фотолитографии.

История развития

Технология MEMS ведёт начало от интегральных микросхем. В 1950–1960-х годах в СССР и США проводились эксперименты по анизотропному травлению кремния, однако ключевым прорывом стало изобретение в 1967 году Натаниэлем Уайзом и Джеймсом Энглом резонансного полевого транзистора с подвижным затвором. В 1970-х годах в Стэнфордском университете и Калифорнийском университете в Беркли разработали первые кремниевые тензорезистивные датчики давления.

Коммерциализация началась в 1980-х годах с выпуском автомобильных датчиков давления и акселерометров для подушек безопасности. В 1990-х годах компания Analog Devices представила первый интегрированный MEMS-акселерометр, а в 2000-х годах технология стала массовой благодаря использованию в игровых консолях (Nintendo Wii) и смартфонах (iPhone 4). По состоянию на 2020-е годы MEMS-датчики являются одной из самых быстрорастущих категорий полупроводниковой продукции.

Устройство и принцип действия

Типичный MEMS-датчик состоит из трёх ключевых частей:

  • Механический элемент — подвижная структура (консольная балка, диафрагма, гребёнчатый электрод), изготовленная из поликристаллического кремния методом поверхностной или объёмной микрообработки.
  • Трансдьюсер — преобразует механическое смещение в электрический сигнал (ёмкостной, пьезорезистивный, пьезоэлектрический или тепловой).
  • Интерфейсная электроника — усилитель, аналого-цифровой преобразователь, калибровочная схема и цифровой интерфейс (I²C, SPI), размещаемые на том же кристалле.

Принцип работы ёмкостного акселерометра основан на измерении изменения ёмкости между подвижной массой и неподвижными электродами при действии ускорения. Гироскопы используют эффект Кориолиса: вибрирующая масса отклоняется перпендикулярно оси вращения, что фиксируется ёмкостными датчиками.

Классификация

По измеряемой физической величине выделяют:

  • Акселерометры — измеряют линейное ускорение (от ±2g до ±200g).
  • Гироскопы — определяют угловую скорость (от ±125°/с до ±2000°/с).
  • Датчики давления — абсолютного, манометрического или дифференциального типа (диапазон от 0,1 кПа до 100 МПа).
  • Магнитометры — измеряют напряжённость магнитного поля (эффект Холла или магниторезистивный эффект).
  • Датчики температуры, влажности, расхода газа и микрофоны.

По технологии изготовления различают поверхностную микрообработку (структуры формируются на поверхности подложки) и объёмную (глубокое травление всего кристалла, в том числе методом DRIE — реактивного ионного травления).

Применение

MEMS-датчики применяются в ряде отраслей:

В России разработкой MEMS-датчиков занимаются предприятия «Авангард» (Санкт-Петербург), НИИ физических измерений (Саратов), НПП «Дельта» (Москва). Продукция применяется в ракетно-космической отрасли и системах вооружения.

Преимущества и ограничения

К преимуществам MEMS-датчиков относятся: малые габариты и масса (менее 1 грамма), низкая себестоимость при серийном производстве, высокая ударопрочность и надёжность, низкое энергопотребление (единицы микроватт) и совместимость с цифровыми интерфейсами.

Ограничения включают: дрейф нулевого сигнала и температурную зависимость характеристик, чувствительность к механическим напряжениям корпуса, относительно невысокую точность по сравнению с макроскопическими датчиками (например, волоконно-оптическими гироскопами), а также сложность герметизации подвижных структур.

Перспективы развития

Современные тенденции связаны с интеграцией нескольких датчиков в единый инерциальный модуль (6 или 9 степеней свободы), переходом к 3D-гетерогенной интеграции кремниевых и CMOS-слоёв, применением новых материалов (алмаз, карбид кремния, полимеры) для работы в экстремальных условиях. Развитие технологии «умной пыли» и интернета вещей стимулирует создание автономных датчиков с беспроводной передачей данных и энергосбором (energy harvesting). В перспективе ожидается внедрение MEMS-датчиков в нейроинтерфейсы и носимую биометрическую электронику.

Источники

  • М. Гад-эль-Хак. «The MEMS Handbook». CRC Press, 2002.
  • С. Д. Сентурия. «Microsystem Design». Kluwer Academic Publishers, 2001.
  • В. П. Драгунов, А. А. Нестеренко. «Микроэлектромеханические системы». НовГУ, 2018.
  • Отчёт Yole Développement. «Status of the MEMS Industry». 2023.

BFOmetr — база данных и аналитика по компаниям России.

На главную BFOmetr →