Научно-исследовательский институт Поиск

Научно-исследовательский институт «Поиск» (полное наименование — Федеральное государственное унитарное предприятие «Научно-исследовательский институт „Поиск“») — российское предприятие, специализирующееся на разработке, производстве и испытаниях радиационно-стойких интегральных микросхем, силовых полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники для космической, авиационной, атомной и оборонной промышленности. Расположен в Санкт-Петербурге.

История

Основание и советский период

Институт был основан в 1964 году как филиал Ленинградского физико-технического института имени А. Ф. Иоффе. Первоначально занимался разработкой полупроводниковых приборов для военной и космической техники. В 1970-е годы «Поиск» стал одним из ведущих центров СССР по созданию радиационно-стойких микросхем, используемых в системах управления космическими аппаратами, спутниками и межконтинентальными баллистическими ракетами. В 1980-е годы институт активно участвовал в программе «Энергия — Буран», разрабатывая бортовую электронику для космического корабля «Буран».

Постсоветский период

В 1990-е годы институт пережил спад производства, но сохранил ключевые компетенции. В 1998 году был преобразован в Федеральное государственное унитарное предприятие (ФГУП). В 2000-е годы началось восстановление мощностей, связанное с ростом заказов от Роскосмоса и Министерства обороны РФ. В 2010-е годы «Поиск» вошёл в состав АО «Росэлектроника» (входит в Госкорпорацию «Ростех»).

Современное состояние

По состоянию на 2025 год институт продолжает разработку и серийное производство радиационно-стойких микросхем по технологическим нормам до 0,18 мкм. Ведётся работа над освоением технологий 0,09 мкм и 0,045 мкм. Предприятие участвует в федеральных целевых программах «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности» и «Национальная технологическая база».

Деятельность

Основные направления

• Разработка и производство радиационно-стойких интегральных микросхем (логические, аналоговые, микроконтроллеры, ПЛИС).
• Создание силовых полупроводниковых приборов (диоды, транзисторы, тиристоры) на основе кремния и карбида кремния.
• Разработка микросборок и гибридных интегральных схем.
• Проведение испытаний на стойкость к воздействию ионизирующего излучения (гамма-нейтронное, протонное, электронное).
• Проектирование и изготовление фотошаблонов для микроэлектроники.

Продукция

Продукция института включает:

• Микросхемы серий 1348, 1349, 1350, 1351 (радиационно-стойкие логические и аналоговые).
• Силовые транзисторы серий КП, КТ, КС (до 1200 В, 100 А).
• Диодные сборки и выпрямители для космических аппаратов.
• Микроконтроллеры и ПЛИС для систем управления спутников.
• Специализированные микросборки для атомных электростанций.

Технологическая база

Институт располагает:

• Чистым производственным помещением класса 100 (ISO 5) и 1000 (ISO 6).
• Линией фотошаблонов с разрешением до 0,18 мкм.
• Оборудованием для ионной имплантации, плазмохимического травления, напыления металлов.
• Испытательными стендами для радиационных, климатических и механических испытаний.
• Лабораторией рентгеновской литографии.

Структура

В состав института входят:

• Конструкторско-технологический центр.
• Производственный комплекс (участки эпитаксии, фотолитографии, сборки, тестирования).
• Испытательный центр (аккредитован Росаккредитацией).
• Отдел главного конструктора.
• Служба качества и стандартизации.
• Научно-техническая библиотека.

Партнёры и заказчики

Основными заказчиками являются:

• Госкорпорация «Роскосмос» (бортовая электроника для спутников «Глонасс», «Электро-Л», «Метеор-М»).
• Министерство обороны РФ (системы управления ракетной техникой).
• Госкорпорация «Росатом» (электроника для АЭС и систем управления ядерными реакторами).
• АО «Объединённая авиастроительная корпорация» (авионика).
• Предприятия АО «Росэлектроника» и АО «Концерн ВКО «Алмаз-Антей».

Достижения и награды

• В 1976 году институт награждён орденом «Знак Почёта» за заслуги в создании радиоэлектронной аппаратуры.
• В 2005 году удостоен премии Правительства РФ в области науки и техники за разработку радиационно-стойких микросхем.
• В 2014 году коллективу института объявлена благодарность Президента РФ за вклад в развитие космической техники.
• В 2020 году институт стал лауреатом конкурса «100 лучших организаций России» в номинации «Наука и инновации».

Критика и проблемы

Как и многие предприятия микроэлектронной отрасли России, «Поиск» сталкивается с рядом вызовов:

• Технологическое отставание от мировых лидеров (TSMC, Intel) по нормам литографии (0,18 мкм против 3–5 нм).
• Зависимость от импортного оборудования для литографии и тестирования (поставки из стран ЕС и США ограничены санкциями).
• Нехватка квалифицированных кадров из-за оттока специалистов в коммерческий сектор.
• Ограниченные возможности для перехода на технологии менее 0,1 мкм без масштабных инвестиций.

Интересные факты

• Микросхемы, разработанные в «Поиске», устанавливались на все советские и российские пилотируемые космические корабли серий «Союз» и «Прогресс».
• Институт участвовал в создании электроники для орбитальной станции «Мир» и Международной космической станции.
• В 2018 году на базе института был открыт Центр коллективного пользования «Радиационные испытания» для сторонних организаций.
• Сотрудники института являются авторами более 200 патентов и 500 научных публикаций.

Источники

• Устав ФГУП «НИИ „Поиск“» (редакция 2023 года).
• Годовой отчёт АО «Росэлектроника» за 2023 год.
• Материалы сайта «Ростех» (раздел «Предприятия»).
• Статья «Радиационно-стойкая микроэлектроника России» в журнале «Электроника: наука, технология, бизнес» (2022, № 4).
• Данные с официального сайта ФГУП «НИИ „Поиск“» (по состоянию на 2025 год).