Юрий Александрович Осипьян

Юрий Александрович Осипьян (15 февраля 1931, Москва — 10 сентября 2008, там же) — советский и российский физик-экспериментатор, специалист в области физики твёрдого тела, физического материаловедения и физики дислокаций. Академик Академии наук СССР (1981; член-корреспондент с 1972), вице-президент АН СССР (1988—1991) и Российской академии наук (1991—2001). Герой Социалистического Труда (1981), лауреат Ленинской премии (1984), Государственной премии СССР (1975) и Государственной премии Российской Федерации (2001).

Биография

Ранние годы и образование

Юрий Александрович Осипьян родился 15 февраля 1931 года в Москве в семье служащих. В 1948 году окончил среднюю школу с золотой медалью и поступил на физико-технический факультет Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова. В 1951 году факультет был преобразован в Московский физико-технический институт (МФТИ), который Осипьян окончил с отличием в 1954 году по специальности «физика твёрдого тела».

Научная деятельность

После окончания МФТИ Осипьян был распределён в Институт кристаллографии АН СССР, где работал под руководством академика А. В. Шубникова. В 1957 году перешёл в только что созданный Институт физики твёрдого тела АН СССР (ИФТТ), где прошёл путь от младшего научного сотрудника до директора института (1973—2001). С 2001 года и до конца жизни оставался почётным директором ИФТТ.

Основные научные работы Осипьяна посвящены изучению дефектов кристаллической решётки, в первую очередь дислокаций, и их влиянию на физические свойства твёрдых тел. Он экспериментально обнаружил и исследовал ряд фундаментальных явлений:

• Фотопластический эффект (совместно с И. Б. Савицкой) — изменение пластичности ионных кристаллов под действием света. Этот эффект, открытый в 1968 году, показал, что электронное возбуждение может влиять на движение дислокаций, что стало важным вкладом в понимание механизмов деформации твёрдых тел.
• Дислокационный внутренний трение — Осипьян разработал методы измерения внутреннего трения, связанного с движением дислокаций, и исследовал его зависимость от температуры, частоты и деформации.
• Электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) дислокаций — впервые наблюдал сигналы ЭПР, связанные с оборванными связями на дислокациях в кремнии и других полупроводниках, что позволило изучать электронную структуру дефектов.
• Влияние дислокаций на сверхпроводимость — показал, что дислокации могут влиять на критические параметры сверхпроводников, в частности, на критический ток и температуру перехода.

Осипьян также внёс вклад в развитие физики высокотемпературных сверхпроводников (ВТСП). Под его руководством в ИФТТ были получены первые в СССР образцы ВТСП-керамики (1987) и исследованы их свойства.

Организационная и общественная деятельность

С 1973 по 2001 год Ю. А. Осипьян был директором Института физики твёрдого тела АН СССР (РАН). Под его руководством институт стал одним из ведущих мировых центров в области физики конденсированного состояния. Он уделял большое внимание развитию экспериментальной базы института, созданию уникальных установок и привлечению молодых учёных.

В 1988 году Осипьян был избран вице-президентом АН СССР, а после распада СССР — вице-президентом Российской академии наук (1991—2001). На этом посту он курировал Отделение общей физики и астрономии, а также координировал научные программы по физике твёрдого тела и материаловедению. Он активно участвовал в реформировании академии в 1990-е годы, выступая за сохранение её фундаментальной роли.

Осипьян был членом ряда зарубежных академий и научных обществ, в том числе Американского физического общества, Европейской академии наук, Академии наук ГДР. Он входил в редколлегии ведущих научных журналов, в том числе «Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики» и «Физика твёрдого тела».

Педагогическая деятельность

С 1960-х годов Осипьян вёл преподавательскую работу в Московском физико-техническом институте. Он читал курсы лекций по физике твёрдого тела, физике дислокаций и экспериментальным методам физики. Под его руководством защищено более 30 кандидатских и докторских диссертаций. Среди его учеников — академики РАН В. И. Никитенко, В. В. Кведер, А. Л. Рахманов.

Основные научные достижения

Открытие фотопластического эффекта

В 1968 году совместно с И. Б. Савицкой Осипьян обнаружил, что освещение ионных кристаллов (например, NaCl, LiF) приводит к изменению их пластичности. Этот эффект получил название фотопластического. Осипьян и его сотрудники установили, что свет вызывает перераспределение зарядов на дислокациях, что изменяет силу их взаимодействия с точечными дефектами и, следовательно, подвижность дислокаций. Фотопластический эффект имеет важное значение для понимания радиационной стойкости материалов и для разработки методов управления их механическими свойствами.

Исследование дислокаций в полупроводниках

Осипьян внёс пионерский вклад в изучение электронной структуры дислокаций в полупроводниках. Он впервые применил метод ЭПР для исследования дислокаций в кремнии и германии, что позволило идентифицировать типы оборванных связей и их энергетические уровни. Эти работы заложили основы физики дефектов в полупроводниках и имели практическое значение для микроэлектроники.

Развитие методов экспериментальной физики

Осипьян разработал и усовершенствовал ряд экспериментальных методов для изучения дислокаций, в том числе:

• Метод селективного травления для выявления дислокаций в кристаллах.
• Методы измерения внутреннего трения в широком диапазоне частот.
• Методы in situ наблюдения движения дислокаций под действием механических напряжений и света.

Награды и звания

• Государственные награды СССР и России:
• Герой Социалистического Труда (1981) — за выдающиеся заслуги в развитии физической науки.
• Орден Ленина (1981).
• Орден Трудового Красного Знамени (1975).
• Орден «За заслуги перед Отечеством» III степени (1999).
• Ленинская премия (1984) — за цикл работ «Электронные явления, обусловленные дислокациями в полупроводниках».
• Государственная премия СССР (1975) — за цикл работ «Фотопластический эффект».
• Государственная премия Российской Федерации (2001) — за цикл работ «Дислокационная структура и физические свойства кристаллов».

• Академические звания:
• Академик АН СССР (1981).
• Вице-президент АН СССР (1988—1991) и РАН (1991—2001).
• Почётный директор Института физики твёрдого тела РАН (с 2001).

• Прочие награды:
• Золотая медаль имени А. Ф. Иоффе РАН (2003) — за выдающиеся работы в области физики твёрдого тела.
• Премия имени П. Н. Лебедева АН СССР (1978).
• Член Американского физического общества (1991).
• Иностранный член Академии наук ГДР (1985).

Память

• Имя Ю. А. Осипьяна носит Институт физики твёрдого тела РАН (ИФТТ РАН) с 2009 года.
• На здании ИФТТ РАН в Черноголовке установлена мемориальная доска.
• В 2011 году в ИФТТ РАН прошла Международная конференция «Физика дислокаций», посвящённая 80-летию со дня рождения учёного.
• Учреждена премия имени Ю. А. Осипьяна для молодых учёных в области физики твёрдого тела.

Источники

• Осипьян Юрий Александрович // Большая советская энциклопедия: [в 30 т.] / гл. ред. А. М. Прохоров. — 3-е изд. — М.: Советская энциклопедия, 1969—1978.
• Осипьян Юрий Александрович // Российская академия наук. Персональный состав: в 4 кн. — М.: Наука, 2009. — Кн. 2: 1918—2008. — С. 234—235.
• Академик Ю. А. Осипьян: К 70-летию со дня рождения // Успехи физических наук. — 2001. — Т. 171, № 2. — С. 213—214.
• Памяти Юрия Александровича Осипьяна // Физика твёрдого тела. — 2008. — Т. 50, № 12. — С. 2113—2114.
• Юрий Александрович Осипьян (1931—2008) // Природа. — 2008. — № 11. — С. 87—88.