Журкина Н.А

Журкина Нина Алексеевна (род. 1 августа 1938, Москва) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики полупроводников и микроэлектроники. Доктор физико-математических наук (1985), профессор (1990). Заслуженный деятель науки Российской Федерации (2003). Известна работами по исследованию дефектов структуры в полупроводниковых материалах, разработке методов диагностики и контроля качества полупроводниковых приборов и интегральных схем.

Биография

Нина Алексеевна Журкина родилась 1 августа 1938 года в Москве. В 1961 году окончила Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова по специальности «физика». После окончания университета поступила на работу в Научно-исследовательский институт физических проблем имени Ф. В. Лукина (НИИФП), где прошла путь от младшего научного сотрудника до заведующей лабораторией.

В 1970 году защитила кандидатскую диссертацию на тему «Исследование дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях кремния». В 1985 году — докторскую диссертацию «Физические основы контроля структурного совершенства полупроводниковых материалов и приборов». С 1990 года — профессор по специальности «физика полупроводников».

С 1995 по 2015 год возглавляла кафедру физики полупроводников и микроэлектроники в Московском институте электронной техники (МИЭТ). В настоящее время — главный научный сотрудник Института проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов РАН (ИПТМ РАН).

Научная деятельность

Основные направления научных исследований Н. А. Журкиной связаны с изучением структурных дефектов в полупроводниковых материалах, в первую очередь в кремнии и арсениде галлия. Ею разработаны методы рентгеновской топографии и электронной микроскопии для выявления дислокаций, дефектов упаковки, микродвойников и других несовершенств кристаллической решётки.

Исследование дефектов упаковки

В 1960–1970-х годах Журкина провела серию работ по изучению дефектов упаковки в эпитаксиальных слоях кремния. Она установила закономерности образования и распространения этих дефектов в зависимости от условий роста, типа подложки и легирования. Результаты исследований легли в основу технологических рекомендаций по снижению плотности дефектов в эпитаксиальных структурах.

Методы диагностики полупроводников

Журкина разработала комплекс методов неразрушающего контроля структурного совершенства полупроводниковых пластин и приборных структур. Среди них:

• Рентгеновская топография с высоким разрешением — позволяет выявлять дислокации и дефекты упаковки с точностью до долей микрона.
• Метод селективного химического травления — используется для визуализации дефектов на поверхности полупроводников.
• Электронно-микроскопические методы — включают просвечивающую электронную микроскопию (ПЭМ) и сканирующую электронную микроскопию (СЭМ) для анализа дефектов в объёме материала.

Влияние дефектов на свойства приборов

Значительная часть работ Журкиной посвящена влиянию структурных дефектов на электрические и оптические характеристики полупроводниковых приборов. Она показала, что дислокации и дефекты упаковки могут приводить к увеличению токов утечки, снижению пробивного напряжения, ухудшению быстродействия и надёжности интегральных схем. Эти результаты были использованы при разработке технологических процессов производства микросхем на предприятиях электронной промышленности СССР и России.

Педагогическая деятельность

С 1990 года Н. А. Журкина ведёт преподавательскую работу в Московском институте электронной техники (МИЭТ). Читает курсы:

• «Физика полупроводников»
• «Дефекты структуры в полупроводниках»
• «Методы диагностики материалов микроэлектроники»
• «Технология полупроводниковых приборов»

Под её руководством защищено более 20 кандидатских и 5 докторских диссертаций. Она является автором учебных пособий по физике полупроводников и методам контроля качества, используемых в вузах России.

Научные труды

Н. А. Журкина — автор более 250 научных публикаций, в том числе 5 монографий и 12 авторских свидетельств на изобретения. Основные труды:

• Монографии:
• «Дефекты упаковки в эпитаксиальных слоях кремния» (1980)
• «Структурные дефекты и свойства полупроводниковых приборов» (1992)
• «Методы рентгеновской диагностики полупроводников» (2001)
• «Физические основы контроля структурного совершенства полупроводников» (2005)

• Избранные статьи:
• Журкина Н. А. Влияние дислокаций на токи утечки в кремниевых p-n-переходах // Физика и техника полупроводников. — 1978. — Т. 12, № 5. — С. 912–917.
• Журкина Н. А., Ковалёв А. И. Рентгеновская топография дефектов упаковки в кремнии // Кристаллография. — 1985. — Т. 30, № 3. — С. 534–539.
• Zhurkina N. A. Influence of structural defects on the reliability of integrated circuits // Microelectronics Reliability. — 1998. — Vol. 38, No. 6. — P. 987–992.

Награды и звания

• Заслуженный деятель науки Российской Федерации (2003)
• Премия Правительства Российской Федерации в области науки и техники (2008) — за цикл работ по созданию методов диагностики полупроводниковых материалов
• Почётная грамота Министерства образования и науки РФ (2010)
• Медаль «Ветеран труда» (1995)

Членство в научных организациях

• Член Научного совета РАН по физике полупроводников
• Член редколлегии журнала «Физика и техника полупроводников»
• Член Международного общества оптической инженерии (SPIE)

Интересные факты

• Н. А. Журкина является одной из первых женщин-учёных в СССР, защитивших докторскую диссертацию по физике полупроводников.
• Разработанные ею методы диагностики используются на предприятиях микроэлектроники в России, Беларуси и Казахстане.
• В 2013 году в честь 75-летия Н. А. Журкиной была проведена Всероссийская научная конференция «Структурные дефекты и свойства полупроводников».

Источники

• Журкина Н. А. // Кто есть кто в российской науке. — М.: Наука, 2007. — С. 234–235.
• Журкина Н. А. // Учёные России. — М.: РАН, 2012. — Т. 3. — С. 112–113.
• Список научных трудов Н. А. Журкиной в базе данных РИНЦ.
• Материалы Всероссийской конференции «Структурные дефекты и свойства полупроводников» (2013).