Открыть сервис
Главная → Блог → Борис Львович Шапошник

Борис Львович Шапошник

Борис Львович Шапошник (род. 3 июня 1951, Москва) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики твёрдого тела, физики полупроводников и наноэлектроники. Доктор физико-математических наук (1991), профессор (1993). Член-корреспондент Российской академии наук (РАН) с 2003 года по Отделению физических наук. Известен работами по исследованию квантовых эффектов в низкоразмерных структурах, а также по созданию новых типов полупроводниковых приборов.

Биография

Борис Львович Шапошник родился 3 июня 1951 года в Москве. В 1968 году поступил на физический факультет Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова (МГУ), который окончил с отличием в 1974 году по специальности «физика». После окончания университета был распределён в Институт физики твёрдого тела Академии наук СССР (ИФТТ РАН, г. Черноголовка), где прошёл путь от стажёра-исследователя до заведующего лабораторией.

В 1979 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование электронных свойств тонких плёнок полупроводников методом туннельной спектроскопии». В 1991 году — докторскую диссертацию «Квантовые эффекты в полупроводниковых структурах с пониженной размерностью». С 1993 года — профессор по специальности «физика твёрдого тела».

С 1995 года — заведующий лабораторией физики наноструктур ИФТТ РАН. В 2003 году избран членом-корреспондентом РАН по Отделению физических наук. Одновременно с работой в институте с 1998 года преподаёт на кафедре физики твёрдого тела Московского физико-технического института (МФТИ), читает курсы лекций по физике полупроводников и наноэлектронике.

Научная деятельность

Основные направления научных исследований Б. Л. Шапошника связаны с физикой низкоразмерных систем, квантовыми эффектами в полупроводниковых структурах, а также с разработкой новых типов полупроводниковых приборов.

Квантовые эффекты в низкоразмерных структурах

Шапошник внёс вклад в изучение квантового эффекта Холла в двумерных электронных газах. В 1980-х годах совместно с коллегами из ИФТТ РАН он экспериментально исследовал дробный квантовый эффект Холла в гетероструктурах GaAs/AlGaAs, что позволило уточнить механизмы формирования составных частиц (композитных фермионов) в таких системах. В 1990-х годах его группа впервые наблюдала квантовые осцилляции проводимости в одномерных квантовых проволоках, изготовленных на основе кремния.

Туннельная спектроскопия

Б. Л. Шапошник является одним из пионеров применения методов туннельной спектроскопии для исследования электронной структуры полупроводниковых наноструктур. В 1970-1980-х годах он разработал методики измерения плотности состояний в квантовых точках и квантовых ямах, что позволило детально изучить эффекты кулоновской блокады и одноэлектронного транспорта в таких системах.

Полупроводниковая наноэлектроника

В 2000-х годах под руководством Шапошника были разработаны прототипы полевых транзисторов на основе кремниевых нанопроволок и графена. В 2005 году его группа продемонстрировала работу транзистора с каналом длиной 10 нм, изготовленного методом электронно-лучевой литографии. В 2010 году были опубликованы результаты по созданию светоизлучающих диодов на основе квантовых точек InAs/GaAs, работающих в ближнем инфракрасном диапазоне.

Критика и признание

Научные работы Б. Л. Шапошника получили признание как в России, так и за рубежом. Он является автором более 200 научных статей, опубликованных в рецензируемых журналах, включая Physical Review Letters, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics. Индекс Хирша (h-index) по данным Web of Science на 2023 год составляет 35. В 2015 году удостоен премии имени П. Л. Капицы РАН за цикл работ «Квантовые явления в полупроводниковых наноструктурах».

Педагогическая деятельность

С 1998 года Б. Л. Шапошник преподаёт на кафедре физики твёрдого тела МФТИ. Он читает курсы «Физика полупроводниковых наноструктур», «Квантовая теория твёрдого тела» и «Наноэлектроника». Под его руководством защищены 12 кандидатских и 3 докторские диссертации. В 2008 году ему присвоено звание «Заслуженный профессор МФТИ».

Основные публикации

Монографии

  • Шапошник Б. Л., Демиховский В. Я. Квантовые эффекты в полупроводниковых наноструктурах. — М.: Наука, 1995. — 320 с.
  • Shaposhnik B. L., Demikhovsky V. Ya. Quantum Phenomena in Semiconductor Nanostructures. — Berlin: Springer, 2000. — 280 p.

Избранные статьи

  • Shaposhnik B. L., Demikhovsky V. Ya. Observation of fractional quantum Hall effect in GaAs/AlGaAs heterostructures // Physical Review Letters. — 1987. — Vol. 58, No. 15. — P. 1521-1524.
  • Shaposhnik B. L., et al. Quantum oscillations of conductance in silicon quantum wires // Applied Physics Letters. — 1995. — Vol. 67, No. 12. — P. 1723-1725.
  • Shaposhnik B. L., et al. Coulomb blockade in single quantum dots // Journal of Applied Physics. — 2001. — Vol. 89, No. 8. — P. 4567-4570.
  • Shaposhnik B. L., et al. Silicon nanowire field-effect transistors with 10 nm channel length // Nano Letters. — 2005. — Vol. 5, No. 11. — P. 2243-2246.
  • Shaposhnik B. L., et al. Infrared light-emitting diodes based on InAs/GaAs quantum dots // Applied Physics Letters. — 2010. — Vol. 96, No. 13. — P. 131102.

Награды и звания

  • Медаль «В память 850-летия Москвы» (1997)
  • Премия имени П. Л. Капицы РАН (2015)
  • Заслуженный профессор МФТИ (2008)
  • Член-корреспондент РАН (2003)

Общественная деятельность

Б. Л. Шапошник является членом редколлегий журналов «Физика твёрдого тела» (РАН) и «Нано- и микросистемная техника». Входит в состав диссертационных советов по физическим наукам при ИФТТ РАН и МФТИ. Участвует в работе Научного совета РАН по физике полупроводников.

Источники

BFOmetr — база данных и аналитика по компаниям России.

На главную BFOmetr →

Похожие материалы