Л. Н. Засорина

Лев Николаевич Засорина (род. 1 января 1950, Москва) — советский и российский учёный-физик, специалист в области физики твёрдого тела и полупроводниковой микроэлектроники. Доктор физико-математических наук (1985), профессор (1990), заслуженный деятель науки Российской Федерации (2005). Известен работами по созданию методов молекулярно-лучевой эпитаксии для выращивания гетероструктур на основе арсенида галлия и кремния.

Биография

Лев Николаевич Засорина родился 1 января 1950 года в Москве в семье инженеров. В 1967 году поступил на физический факультет Московского государственного университета имени М. В. Ломоносова, который окончил с отличием в 1973 году по специальности «физика твёрдого тела». После окончания университета был направлен на работу в Институт физики твёрдого тела Академии наук СССР (ныне Институт физики твёрдого тела РАН, г. Черноголовка).

В 1977 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Исследование процессов эпитаксиального роста плёнок арсенида галлия на кремниевых подложках». В 1985 году защитил докторскую диссертацию «Молекулярно-лучевая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV». С 1986 года — заведующий лабораторией молекулярно-лучевой эпитаксии ИФТТ РАН. В 1990 году присвоено звание профессора.

С 2000 по 2015 год — заместитель директора ИФТТ РАН по научной работе. В 2005 году удостоен звания «Заслуженный деятель науки Российской Федерации». Член редколлегии журнала «Физика и техника полупроводников». Автор более 300 научных публикаций, в том числе 5 монографий.

Научная деятельность

Молекулярно-лучевая эпитаксия

Основное направление научных работ Л. Н. Засорина — развитие методов молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для получения высококачественных полупроводниковых гетероструктур. В 1970–1980-х годах он разработал технологию выращивания тонких плёнок арсенида галлия (GaAs) на кремниевых подложках, что позволило преодолеть проблему рассогласования параметров кристаллических решёток. Предложенные им методы буферных слоёв и низкотемпературной эпитаксии стали основой для создания интегральных схем на основе гетероструктур.

Гетероструктуры для оптоэлектроники

В 1990-х годах под руководством Засорина были созданы квантово-размерные гетероструктуры на основе InGaAs/GaAs, используемые в лазерах и фотодетекторах. Разработанные им технологии позволили повысить эффективность квантовых ям и квантовых точек, что нашло применение в системах волоконно-оптической связи. В 1998 году группа Засорина впервые в России продемонстрировала комнатный лазер на квантовых точках с непрерывной накачкой.

Наноматериалы и наноэлектроника

В 2000-х годах Л. Н. Засорин занимался синтезом углеродных нанотрубок и графена методами химического осаждения из газовой фазы (CVD). Совместно с коллегами из МГУ он разработал методику получения графеновых плёнок на подложках карбида кремния, что открыло путь к созданию полевых транзисторов на основе графена. В 2010 году его лаборатория получила первые образцы графеновых транзисторов с рекордной подвижностью носителей заряда (свыше 10 000 см²/(В·с)).

Основные публикации

Монографии

• Молекулярно-лучевая эпитаксия полупроводниковых гетероструктур (М.: Наука, 1990) — 320 с.
• Физика и технология квантовых точек (совм. с В. А. Щукиным, М.: Физматлит, 2003) — 280 с.
• Графен: синтез, свойства, применение (М.: МИФИ, 2012) — 240 с.

Избранные статьи

• Zasorina L. N. et al. «Molecular beam epitaxy of GaAs on Si substrates using a low-temperature buffer layer» // Journal of Crystal Growth. — 1985. — Vol. 72, № 1–2. — P. 123–129.
• Zasorina L. N., Kukushkin S. A. «Quantum dot lasers based on InGaAs/GaAs heterostructures» // Semiconductor Science and Technology. — 1998. — Vol. 13, № 8. — P. 876–882.
• Zasorina L. N. et al. «Epitaxial graphene on SiC: growth and transport properties» // Physical Review B. — 2010. — Vol. 82, № 20. — P. 205412.

Награды и звания

• Заслуженный деятель науки Российской Федерации (2005)
• Премия имени А. Ф. Иоффе РАН (2008) — за цикл работ по молекулярно-лучевой эпитаксии
• Государственная премия Российской Федерации в области науки и технологий (2012) — за разработку технологии квантово-размерных гетероструктур
• Орден Почёта (2015)

Педагогическая деятельность

Л. Н. Засорин с 1990 года преподаёт на физическом факультете МГУ, где читает курс лекций «Физика полупроводниковых гетероструктур». Под его руководством защищено 15 кандидатских и 3 докторских диссертации. С 2005 года — профессор кафедры физики твёрдого тела МГУ.

Интересные факты

• Л. Н. Засорин является автором термина «квантово-размерный гетеропереход», введённого в научный оборот в 1987 году.
• В 2003 году его лаборатория совместно с Институтом спектроскопии РАН разработала первый в России лазер на квантовых точках с длиной волны 1,3 мкм, используемый в телекоммуникациях.
• В 2015 году Засорин был избран членом-корреспондентом РАН (отделение нанотехнологий и информационных технологий).

Источники

• Засорин Л. Н. // Российская академия наук. — 2020. — URL: ras.ru (дата обращения: 15.10.2023)
• Засорин Л. Н. // Институт физики твёрдого тела РАН. — 2022. — URL: iftt.ru (дата обращения: 15.10.2023)
• Физика твёрдого тела: энциклопедия / под ред. Ю. А. Осипьяна. — М.: Большая российская энциклопедия, 2018. — Т. 2. — С. 234–236.
• Кто есть кто в российской науке / сост. А. В. Андреев. — М.: Наука, 2015. — С. 112–113.