Жорес Иванович Алфёров

Жорес Иванович Алфёров (15 марта 1930, Витебск — 1 марта 2019, Санкт-Петербург) — советский и российский физик, лауреат Нобелевской премии по физике (2000), академик Академии наук СССР (1979) и Российской академии наук (1991). Основные научные достижения связаны с физикой полупроводников, гетероструктурами и оптоэлектроникой. Алфёров внёс фундаментальный вклад в создание современных полупроводниковых лазеров, светодиодов, солнечных батарей и интегральных схем. Занимал пост вице-президента РАН (1991—2013) и был депутатом Государственной думы РФ (1995—2019).

Биография

Ранние годы и образование

Жорес Алфёров родился в Витебске (Белорусская ССР) в семье Ивана Карповича Алфёрова и Анны Владимировны Розенблюм. Имя получил в честь французского социалиста Жана Жореса. В 1935 году семья переехала в Ленинград. Во время Великой Отечественной войны находился в эвакуации в Туринске (Свердловская область). После войны вернулся в Ленинград, где в 1952 году с отличием окончил Ленинградский электротехнический институт имени В. И. Ульянова (ЛЭТИ) по специальности «электротехника».

Начало научной карьеры

С 1953 года работал в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе (ФТИ) в Ленинграде. В 1961 году защитил кандидатскую диссертацию, посвящённую исследованию полупроводниковых гетеропереходов. В 1970 году получил степень доктора физико-математических наук за работы по гетероструктурам. В 1972 году стал профессором, а в 1979 году — академиком АН СССР.

Политическая деятельность

В 1989 году избран народным депутатом СССР. В 1995 году стал депутатом Государственной думы РФ от КПРФ, переизбирался в 1999, 2003, 2007, 2011 и 2016 годах. В Думе занимал пост заместителя председателя комитета по образованию и науке. Выступал против реформ РАН в 2013 году, критиковал политику в области фундаментальной науки.

Научные достижения

Гетероструктуры в полупроводниках

Основное направление исследований Алфёрова — создание и изучение полупроводниковых гетероструктур. В 1960-х годах он совместно с коллегами разработал теорию и технологию получения гетеропереходов на основе арсенида галлия (GaAs) и алюминия-галлия-арсенида (AlGaAs). Это позволило создать:

• Полупроводниковые лазеры — первые непрерывные лазеры на гетероструктурах, работающие при комнатной температуре (1970). Они стали основой для волоконно-оптической связи, лазерных принтеров, считывателей штрих-кодов.
• Светодиоды — высокоэффективные источники света, в том числе синие и зелёные, что привело к созданию современных LED-дисплеев и освещения.
• Солнечные батареи — гетероструктурные фотоэлементы с КПД до 30% (в лабораторных условиях), используемые в космических аппаратах и наземной энергетике.
• Интегральные схемы — быстродействующие транзисторы на гетероструктурах, применяемые в СВЧ-электронике.

Квантовые ямы и сверхрешётки

В 1970-х годах Алфёров и его группа начали исследование квантово-размерных эффектов в гетероструктурах. Были созданы квантовые ямы — тонкие слои полупроводника, где электроны ведут себя как двумерный газ. Это привело к разработке лазеров с квантовыми ямами (1990-е), которые имеют более низкий порог генерации и высокую эффективность.

Другие направления

• Гетероструктуры на основе нитрида галлия (GaN) — работы по созданию синих и ультрафиолетовых светодиодов, что позже привело к Нобелевской премии 2014 года (Исаму Акасаки, Хироси Амано, Сюдзи Накамура).
• Полупроводниковые наноструктуры — исследование квантовых точек и нитей, в том числе для применения в квантовых компьютерах.
• Солнечная энергетика — разработка многопереходных солнечных элементов, рекордных по КПД.

Нобелевская премия

В 2000 году Жорес Алфёров совместно с Гербертом Крёмером (США) и Джеком Килби (США) получил Нобелевскую премию по физике. Формулировка: «за разработку полупроводниковых гетероструктур, используемых в оптоэлектронике и высокочастотной электронике». Алфёров и Крёмер независимо друг от друга предложили и реализовали идею гетеропереходов, а Килби — за изобретение интегральной схемы. Алфёров стал единственным российским (советским) лауреатом Нобелевской премии по физике в постсоветский период.

Общественная деятельность и признание

Научно-организационная работа

• Вице-президент РАН (1991—2013), курировал физико-технические науки.
• Директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе (1987—2003), затем научный руководитель.
• Основатель и президент Санкт-Петербургского научного центра РАН (1992—2019).
• Член многих иностранных академий: Национальной академии наук США, Королевского общества Великобритании, Академии наук Китая и других.

Награды и премии

• Нобелевская премия по физике (2000)
• Ленинская премия (1972)
• Государственная премия СССР (1984)
• Государственная премия РФ (2001)
• Золотая медаль имени А. С. Попова (1999)
• Орден «За заслуги перед Отечеством» I, II, III и IV степени
• Орден Ленина, Октябрьской Революции, Трудового Красного Знамени

Политическая позиция

Алфёров последовательно поддерживал Коммунистическую партию РФ, выступал за сохранение советской системы образования и науки. Критиковал рыночные реформы 1990-х годов, приватизацию и сокращение финансирования РАН. В 2013 году активно выступал против реформы РАН, предложенной правительством РФ, которая передавала управление академией под контроль Федерального агентства научных организаций (ФАНО). В 2018 году подписал открытое письмо президенту РФ с призывом не допустить разрушения фундаментальной науки.

Память

• Имя Жореса Алфёрова присвоено Физико-техническому институту имени А. Ф. Иоффе (2019).
• В Санкт-Петербурге установлен памятник (2021) на Аллее лауреатов Нобелевской премии.
• В 2020 году выпущена почтовая марка России, посвящённая Алфёрову.
• Международная премия имени Ж. И. Алфёрова (учреждена РАН в 2020 году) за достижения в области физики полупроводников.

Интересные факты

• Алфёров был одним из немногих учёных, кто одновременно занимал пост депутата Госдумы и вице-президента РАН.
• Его имя (Жорес) стало популярным в СССР в 1930-е годы после визита французского социалиста Эррио.
• В 2001 году Алфёров подписал письмо против реформы РАН, которое было проигнорировано правительством.
• В 2010 году он выступил с критикой проекта «Сколково», назвав его «пиар-проектом» без реальной научной основы.

Источники

• Алфёров Ж. И. «Физика полупроводниковых гетероструктур» // Успехи физических наук, 2002.
• Нобелевская лекция Ж. И. Алфёрова (2000) // Nobelprize.org.
• Биография Ж. И. Алфёрова // Российская академия наук.
• «Жорес Алфёров: жизнь и наука» // Научно-популярный журнал «Квант», 2020.
• Материалы Государственной думы РФ (1995—2019).